RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RQ3E180AJTB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.16 |
10+ | $1.035 |
100+ | $0.8066 |
500+ | $0.6663 |
1000+ | $0.5261 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4290 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | RQ3E180 |
RQ3E180AJTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E180AJTB PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RQ3E150MNTB ROHM
RQ3E160AD QQ2850920316
RQ3E160ADM6 ROHM/
RQ3G100GN ROHM
RQ3E150MNFU7TB1 ROHM
RQ3E180BN QQ2850920316
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
ROHM DFN
RQ3E180GN QQ2850920316
NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
ROHM DFN-83.3X3.3
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
2024/03/20
2024/04/13
2024/10/23
2024/04/14
RQ3E180AJTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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